快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其形成了自下至上依次层叠的第二金属电极、第一导电类型膜层、第一导电类型的半导体衬底、第一导电类型的半导体外延层、第二导电类型膜层以及第一金属电极的结构，其中在第一导电类型的半导体衬底的正面上进行了一次外延，且对外延形成的半导体外延层的正面表层进行第二导电类型的离子注入，无需多次氢离子注入，因此可以大大降低了制造成本，同时不容易造成负温度系数，适合大电流并联应用。而且半导体衬底在背面减薄后能用作器件缓冲层，由此改善器件的软恢复性能和反向恢复失效性能。
基本信息
专利标题 ：
快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496782A
申请号 ：
CN202210308829.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐旭东陆珏
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210308829.2
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/06 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220328
申请日 : 20220328
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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