一种快速恢复二极管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。
基本信息
专利标题 ：
一种快速恢复二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334645A
申请号 ：
CN202011037492.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛孝昊曾丹史波赵浩宇
申请人 ：
珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄丽
优先权 ：
CN202011037492.3
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/265 H01L21/261
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20200928
申请日 : 20200928
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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