二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种二极管及其制备方法。其中，在衬底和导电层之间设置有隔离层，以避免形成的二极管与集成电路中的其他器件形成寄生效应，进而避免产生电流干扰和闩锁等问题。并且，第二区域、第二导电区域和第三导电区域形成的晶体管与第二导电区域、第三导电区域和第四区域形成的晶体管构成正反馈环路，以增强二极管的电流能力。同时，通过调节晶体管离子掺杂的浓度来提高二极管的反向击穿电压，增强其耐压能力。此外，本发明提供的二极管还设置有电阻层，用于加快晶体管的导通，提高二极管的响应速度。因此，本发明提供的二极管不仅避免了寄生晶体管对集成电路其他模块的影响，提高二极管的响应速度，还提高二极管的耐压值。
基本信息
专利标题 ：
二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335150A
申请号 ：
CN202210020208.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱伟民马晓辉
申请人 ：
无锡市晶源微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室
代理机构 ：
无锡市观知成专利商标代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
任月娜
优先权 ：
CN202210020208.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L27/07 H01L21/329
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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