双向二极管结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种双向二极管结构及其制备方法。本发明的双向二极管结构包括：第一栅极结构；第二栅极结构，位于第一栅极结构的一侧，与第一栅极结构具有间距；阳极，位于第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧，与第一栅极结构具有间距；阴极，位于第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧，与第二栅极结构具有间距；第一电容，第一电容的第一极板与阳极相连接，第一电容的第二极板与第一栅极结构相连接；第二电容，第二电容的第一极板与阴极相连接，第二电容的第二极板与第二栅极结构相连接。本发明的双向二极管可以使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放，避免ESD对器件结构的破坏，从而增强器件结构的ESD鲁棒性。
基本信息
专利标题 ：
双向二极管结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429993A
申请号 ：
CN202111629179.3
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施宜军陈义强贺致远王宏跃徐新兵路国光黄云
申请人 ：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请人地址 ：
广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202111629179.3
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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