发光二极管及其制备方法
授权
摘要
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的过渡层，过渡层的材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，金属有机框架材料具有孔道结构，贵金属纳米颗粒负载在孔道结构中。解决了现有发光二极管存在的电子传输速率与空穴传输速率不平衡的问题，并提高了发光二极管的发光性能。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113130783A
申请号 ：
CN201911413164.6
公开（公告）日 ：
2021-07-16
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN113130783B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
夏思雨杨一行
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张杨梅
优先权 ：
CN201911413164.6
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
相关图片
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-05-24 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 51/50
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-08-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20191231
申请日 : 20191231
2021-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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