本发明公开了一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法，所述发光二极管包括图形化衬底、覆盖于图形化衬底的缓冲层及发光结构，其中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分与第二部分的材料不同；缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层覆盖于图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；第二子缓冲层覆盖于图形结构的第二部分的表面，第一子缓冲层的厚度大于第二子缓冲层的厚度。本发明能够提高外延磊晶面积，同时减小外延层内的晶格缺陷，提高LED的发光效率。