纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置
授权
摘要
本发明提供了一种纳米材料，所述纳米材料为核壳结构纳米材料，包括NiO纳米颗粒和包覆在所述NiO纳米颗粒表面的V2O5壳层。本发明提供的纳米材料，可以提高空穴传输性能，降低激子累积对发光器件性能的影响，从而提高QLEDs性能。
基本信息
专利标题 ：
纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及发光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054062A
申请号 ：
CN201911384735.8
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN113054062B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志云
优先权 ：
CN201911384735.8
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/26
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-06-03 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 33/06
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20191228
申请日 : 20191228
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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