量子点发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层；阴离子聚合物层，所述阴离子聚合物层形成于所述量子点层表面；电子传输层，所述电子传输层形成于所述阴离子聚合物层表面。本发明的量子点发光二极管的量子点层中，与电子传输层接触的表面配位为阴离子聚合物，量子点层其余区域仍保留为原始配体。根据同种电荷排斥，异种电荷吸引的原则，当量子点层靠近电子传输层所在一侧的表面配体替换成了阴离子聚合物时，可以一定程度上阻碍与该种阴离子聚合物的官能团的电荷相同的电子注入，从而有助于提升载流子在整个量子点层中的有效复合，提升器件性能。
基本信息
专利标题 ：
量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520293A
申请号 ：
CN202011296931.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂志文
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011296931.2
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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