量子点发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层和形成于所述量子点层上的电子传输层，所述量子点层的靠近所述电子传输层所在侧的表面结合有酯物质。本发明将量子点层的位于电子传输层所在侧的表面替换为酯物质，由于酯物质具有良好的亲水性，其极性与电子传输层的极性相同，这样有效改善量子点层与电子传输层之间的相容性，减小量子点层与电子传输层间的表面接触角，填补膜层间的空隙和缺陷，有效避免非辐射复合的发生，减少漏电流产生，进而显著提升器件的发光性能。
基本信息
专利标题 ：
量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520291A
申请号 ：
CN202011294195.7
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂志文
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011294195.7
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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