基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法
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摘要
本发明公开了一种基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有紫外量子点发光二极管可靠性差、效率低和寿命不稳定的问题。其自下而上包括：衬底层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN单量子点层、p型AlzGa1‑zN层和电极，该n型AlxGa1‑xN层上设有直径为20‑150nm、高度为2‑35nm的量子点阵列，AlyGa1‑yN单量子点层位于量子点阵列上，以提高量子点发光二极管的可靠性和寿命稳定性。本发明使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的量子点阵列，在量子点阵列上直接生长量子点，提高了器件的可靠性和稳定性，可用于紫外及深紫外发光设备中。
基本信息
专利标题 ：
基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110112268A
申请号 ：
CN201910169569.3
公开（公告）日 ：
2019-08-09
申请日 ：
2019-03-06
授权号 ：
CN110112268B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
周小伟王燕丽訾亚丽李培咸许晟瑞马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN201910169569.3
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/24 H01L33/32 H01L33/00 B82Y40/00
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法律状态
2022-04-29 ：
授权
2019-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20190306
申请日 : 20190306
2019-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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