一种量子点发光二极管及其制备方法

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摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极及设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，阳极与量子点发光层之间还设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为n型半导体材料或碱金属掺杂的过渡金属氧化物，本发明所提供的量子点发光二极管无需额外设置空穴传输层和空穴注入层或设置双层空穴传输层的结构，减少了界面，解决了现有技术中量子点发光二极管界面过多，导致器件寿命下降的问题。

基本信息

专利标题：

一种量子点发光二极管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111384260A

申请号：

CN201811627316.8

公开（公告）日：

2020-07-07

申请日：

2018-12-28

授权号：

CN111384260B

授权日：

2022-04-01

发明人：

苏亮

申请人：

TCL集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

王永文

优先权：

CN201811627316.8

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/56