复合电极及其制备方法、量子点发光二极管

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摘要

本发明提供了一种复合电极，包括：相对设置的第一二氧化锡薄膜和第二二氧化锡薄膜，以及插层设置在所述第一二氧化锡薄膜和所述第二二氧化锡薄膜之间的碳负载碳化钼薄膜，其中，所述碳负载碳化钼薄膜包括碳化钼和用于负载所述碳化钼的碳基质。本发明提供的复合电极，以二氧化锡为表层材料，中间夹层薄膜材料兼具良好的导电性和机械延展性，赋予复合电极较高的载流子迁移率和柔韧性，而且不会产生金属元素的析出，具有较好的化学稳定性。

基本信息

专利标题：

复合电极及其制备方法、量子点发光二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113130809A

申请号：

CN201911390352.1

公开（公告）日：

2021-07-16

申请日：

2019-12-30

授权号：

CN113130809B

授权日：

2022-06-07

发明人：

朱佩罗植天

申请人：

TCL集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

黄志云

优先权：

CN201911390352.1

主分类号：

H01L51/52

IPC分类号：

H01L51/52 H01L51/50 H01L51/56