复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

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摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。该复合材料，包括氧化锡纳米颗粒和结合在所述氧化锡纳米颗粒表面的乙二胺四乙酸镧；其中，所述乙二胺四乙酸镧中的镧离子与氧化锡纳米颗粒表面的氧离子相结合。该复合材料中的乙二胺四乙酸镧不仅能够提高氧化锡纳米颗粒的分散性，防止氧化锡纳米颗粒团聚，而且可以提高氧化锡的电子传输效率，将该复合材料用于量子点发光二极管的电子传输层，可以促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高器件性能。

基本信息

专利标题：

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112397656A

申请号：

CN201910762635.8

公开（公告）日：

2021-02-23

申请日：

2019-08-19

授权号：

CN112397656B

授权日：

2022-06-14

发明人：

何斯纳吴龙佳吴劲衡

申请人：

TCL集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

方良

优先权：

CN201910762635.8

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/54 B82Y30/00 B82Y40/00