一种量子点发光层、发光器件及其制备方法
公开
摘要
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光层、发光器件及其制备方法，该量子点发光层具体包括：间隔设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层之间设置有空穴注入层、空穴传输层、第一量子点层和电子传输层，所述第一量子点层和所述电子传输层之间还设置有至少一个载流子传输层和至少一个第二量子点层；综上所述，第一方面本申请通过两个量子点层的叠加以及载流传输层与电子传输层的叠加配合，有效减少第一量子点层和电子传输层分别在成膜过程中由于存在空隙或者错位产生的缺陷点数量，从而改善由于该缺陷点引起的漏电流现象，进而改善由于单层漏电引起的非辐射复合现象。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点发光层、发光器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628607A
申请号 ：
CN202210273266.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王铁石
申请人 ：
北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴雪
优先权 ：
CN202210273266.8
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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