多层发光量子点器件

授权

摘要

本实用新型涉及量子点技术领域，尤其是涉及一种多层发光量子点器件。多层发光量子点器件，自下而上包括底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极；所述量子点发光层包括交替设置的量子点层和缓冲层；所述电子传输层与所述量子点发光层的缓冲层相贴合。本实用新型通过引入缓冲层，降低空穴跃迁克服的势垒，提高器件的空穴传输速率，增加激子在量子点发光层中的复合几率，提高器件的性能；同时，将缓冲层作为多层量子点层之间的分隔层，以此来制作多层发光器件来增加发光面积，提高器件性能。

基本信息

专利标题：

多层发光量子点器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020931119.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-27

授权号：

CN211700337U

授权日：

2020-10-16

发明人：

管子豪龙能文骆意勇

申请人：

合肥福纳科技有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市新站区新蚌埠路与魏武路交叉口佳海工业城G91栋

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王焕

优先权：

CN202020931119.1

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/56