复合材料及其制备方法与量子点发光二极管
实质审查的生效
摘要
本发明公开复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述复合材料包括MoO3纳米材料和有机化合物，所述有机化合物为稠环烃或其衍生物，所述MoO3纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO3纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合，所述MoO3纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。本发明中，由于MoO3的LUMO能级低于稠环烃或其衍生物的HOMO轨道能级，所以稠环烃或其衍生物的HOMO能级上的电子很容易转移到MoO3的LUMO能级上，形成自由的空穴，从而提高了空穴传输性能，进而提高了量子点发光二极管发光效率。
基本信息
专利标题 ：
复合材料及其制备方法与量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520294A
申请号 ：
CN202011303898.1
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011303898.1
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56 B82Y30/00 B82Y40/00 C09K11/06 C09K11/68 C09K11/02
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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