复合材料和量子点发光二极管及其制备方法

授权

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括核壳纳米颗粒和修饰在所述核壳纳米颗粒表面的硫醇；其中，所述核壳纳米颗粒由ZnO纳米核和包覆在所述ZnO纳米核表面的CdS壳层组成，所述硫醇中的巯基与所述核壳纳米颗粒表面的镉离子相结合。将该复合材料用于量子点发光二极管的电子传输层，可以促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高器件性能。

基本信息

专利标题：

复合材料和量子点发光二极管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112625674A

申请号：

CN201910905509.3

公开（公告）日：

2021-04-09

申请日：

2019-09-24

授权号：

CN112625674B

授权日：

2022-04-29

发明人：

何斯纳吴龙佳吴劲衡

申请人：

TCL集团股份有限公司

申请人地址：

广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司

代理人：

方良

优先权：

CN201910905509.3

主分类号：

C09K11/56

IPC分类号：

C09K11/56 H01L51/50 H01L51/56