一种量子点发光二极管的制备方法
授权
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管的制备方法，所述量子点发光二极管为正型器件，方法包括步骤：提供阳极；在所述阳极表面形成空穴功能层；在所述空穴功能层表面形成一层短链配体化合物；在所述短链配体化合物表面形成量子点发光层。本发明不但可以获得稳定的量子点，且可以大大提高电子/空穴对在激子中的复合，提高器件效率。同时，本发明配体交换方法具有步骤简单、操作时间短、且能有效的避免对其他膜层的影响等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点发光二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111224018A
申请号 ：
CN201811420343.8
公开（公告）日 ：
2020-06-02
申请日 ：
2018-11-26
授权号 ：
CN111224018B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
聂志文杨一行
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王永文
优先权 ：
CN201811420343.8
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/50
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法律状态
2022-04-01 ：
授权
2022-03-11 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 51/56
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2020-06-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20181126
申请日 : 20181126
2020-06-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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