本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层，所述空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构。该空穴功能层具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构，该隧穿结结构可以形成内建电场，而六方氮化硼材料在隧穿结结构中能改善电流扩展效率，增加空穴的隧穿几率；这样，具有基于六方氮化硼材料的隧穿结结构的空穴功能层可以提高空穴迁移率，进而提高器件的空穴注入效率，最终提高了器件的发光性能。