一种量子点发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设在阳极与阴极之间的量子点发光层，设在阳极与量子点发光层之间的空穴功能层；空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层靠近阳极，空穴传输层靠近量子点发光层，空穴注入层材料为MoO3，空穴传输层材料为钯氧化物和铂氧化物中的一种或多种；或者，空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层以及缓冲层，空穴注入层靠近阳极，缓冲层靠近量子点发光层，空穴传输层设在空穴注入层和缓冲层之间，空穴注入层材料为MoO3，空穴传输层材料为镍氧化物，缓冲层材料为Al2O3和/或Ga2O3。用金属氧化物替换有机物设置空穴功能层，有利于QLED稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267800A
申请号 ：
CN202010973442.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张天朔
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱阳波
优先权 ：
CN202010973442.X
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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