量子点发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括第一功能层、第二功能层以及设置在所述第一功能层和所述第二功能层之间的量子点层，所述量子点层由表面结合有第一配体和第二配体的量子点形成，所述第一配体位于所述第一功能层所在一侧，所述第一配体的极性与所述第一功能层的极性相同，所述第二配体位于所述第二功能层所在一侧，所述第二配体的极性与所述第二功能层的极性相同。本发明通过上述方式，在保持原有量子点荧光效率不损失的前提下，有效改善量子点层与功能层之间的相容性，减小量子点层与功能层间的表面接触角，减少漏电流产生，显著提升器件的发光性能。
基本信息
专利标题 ：
量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520290A
申请号 ：
CN202011294178.3
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂志文
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011294178.3
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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