一种量子点发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括步骤：采用溶液法在阳极上形成PVDF掺杂的PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层；在所述空穴传输层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。本发明中，将PVDF掺杂于PEDOT:PSS薄膜中作为空穴传输层，其能够有效改善PEDOT:PSS薄膜的载流子传输效率和稳定性，从而提高量子点发光二极管的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267814A
申请号 ：
CN202010972815.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭煜林吴龙佳张天朔李俊杰
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202010972815.1
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/54 H01L51/50
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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