可见光致发光的硅量子点制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及制备光致可见发光的硅量子材料及其应用，本发明用玻璃做衬底材料，由硅烷(SiH4)和氨气(NH3)做气体源；利用等离子体化学气相淀积(PECVD)技术，制备出各种厚度的a-Si∶H/a-SiNX∶H多层膜。尔后用连续Ar+激光对样品进行扫描辐照，使原来样品中的a-Si∶H阱层的结构发生晶化，此材料在室温下具有光致可见光波段发光特性，其发光光谱的峰值能量约为2.1eV，这不但大大超过晶态硅(C-Si)的带隙能量(1.1eV)，而且也超过非晶态硅的带隙能量。
基本信息
专利标题 ：
可见光致发光的硅量子点制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1077313A
申请号 ：
CN92107762.9
公开（公告）日 ：
1993-10-13
申请日 ：
1992-09-19
授权号 ：
CN1027204C
授权日 ：
1994-12-28
发明人 ：
陈坤基黄信凡徐骏
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210008江苏省南京市汉口路
代理机构 ：
南京大学专利事务所
代理人 ：
陈建和
优先权 ：
CN92107762.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
1996-10-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-12-28 ：
授权
1993-10-13 ：
公开
1993-07-28 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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