发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及从所述第二半导体层经由所述有源层延伸到所述第一半导体层的一部分的多个通孔；其中，所述多个通孔包括第一组通孔和第二组通孔，所述第一组通孔包括形成在所述发光二极管第一边和/或第三边的多个所述通孔，所述第一组通孔在第一方向上间隔设置；所述第二组通孔包括形成在所述发光二极管第二边和/或第四边的多个所述通孔，所述第二通孔在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔设置；所述第一组通孔和所述第二组通孔对齐排列，被所述第一组通孔和所述第二组通孔围绕的内侧通孔在所述第一方向和/或所述第二方向上不对齐排列。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284411A
申请号 ：
CN202111455996.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩涛黄禹杰陈剑斌臧雅姝
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111455996.1
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/46 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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