发光二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成外延结构，外延结构包括第一限制材料层和发光层，发光层位于第一限制材料层的上表面；第一限制材料层中包含In，且In的组分沿第一限制材料层的厚度方向渐变；对第一限制材料层进行处理，消耗部分第一限制材料层以形成第一限制区域及第一限制层，第一限制区域位于第一限制层的外围；其中，第一限制层靠近发光层的表面尺寸小于发光层的尺寸，且小于第一限制层背离发光层的表面尺寸。上述发光二极管的制备方法可以提高载流子的注入效率，同时增强载流子在其他功能层中的扩展效果。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284405A
申请号 ：
CN202111654387.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫其昂王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
赖远龙
优先权 ：
CN202111654387.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/14 H01L33/20
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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