本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法。本发明的二极管结构包括：栅极结构；阳极，位于栅极结构的一侧，与栅极结构具有间距；阴极，位于栅极结构远离阳极的一侧，与栅极结构具有间距；电容，电容的第一极板与阳极相连接，电容的第二极板与栅极结构相连接。在瞬态ESD期间，高电压变化率可诱导产生电容耦合电流，电容耦合电流将携带一定数量的正跃迁电荷到栅极结构，正跃迁电荷将存储在栅极结构并拉下栅极结构中的能带，并迫使电子聚集在栅极结构下，当正跃迁电荷产生的栅极电势达到一定值时，大电流可以通过栅极结构，使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放，可以避免ESD对栅极结构的破坏，从而增强结构的ESD鲁棒性。