半导体器件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构的制备方法包括：形成外延层；于所述外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括有效栅结构及分裂栅结构，所述有效栅结构位于所述分裂栅结构的上表面；于所述外延层内形成阱区；于所述阱区内形成源区，所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；于所述外延层的上表面形成源极金属层，所述源极金属层与所述源区及所述分裂栅结构相接触。替代传统在相邻沟槽之间设置接触孔的方式，舍去接触孔与沟槽之间的间距，将半导体器件结构的尺寸相较于原具有接触孔的器件尺寸缩小了30％‑50％。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420637A
申请号 ：
CN202111583450.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李杰张曌刘玮魏国栋
申请人 ：
深圳深爱半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202111583450.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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