NMOS结构、制备方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种NMOS结构、制备方法及半导体器件，所述制备方法包括提供衬底；在所述衬底上形成若干个鳍片结构；在所述鳍片结构表面形成栅氧层，并在所述鳍片结构之间沉积隔离层，在所述隔离层和所述鳍片结构的所述栅氧层上方形成栅极材料层；图形化所述栅极材料层，以形成若干个栅极线条，相邻所述栅极线条之间形成栅极间隔槽，在所得结构表面形成侧墙隔离层；形成开口区；在所述开口区内部依次形成成核区层和高磷掺杂区层，去除高磷掺杂区层表面的杂质层形成源极或漏极。本发明提高了NMOS沟道的应力，降低可NMOS源漏区的体电阻和接触电阻，并提高了产品良率。
基本信息
专利标题 ：
NMOS结构、制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334829A
申请号 ：
CN202111670532.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武青青刘轶群徐振亚朱建军胡少坚
申请人 ：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111670532.2
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L29/08 H01L29/78 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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