二极管的制备方法及半导体器件
公开
摘要
本申请涉及一种二极管的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的部分第一氧化层；对衬底的正面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行高温推结，在第一氧化层的正面和背面以及第一掺杂区的正面分别生长第二氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和第二氧化层以及衬底正面的部分第一氧化层和部分第二氧化层；对衬底的正面和背面以及第二氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第二掺杂区。第一氧化层可以保护衬底背面，在离子注入的时候不损伤衬底，无需减薄衬底，节省工序。
基本信息
专利标题 ：
二极管的制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300358A
申请号 ：
CN202111671357.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭幸辰鲁艳春
申请人 ：
北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敏
优先权 ：
CN202111671357.9
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/223 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/311 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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