二极管结构及其制备方法、具有二极管结构的装置
实质审查的生效
摘要

本申请涉及一种二极管结构及其制备方法及具有二极管结构的装置。二极管结构包括衬底、第一外延层、第二外延层、正面电极和场板;场板的材质与正面电极的材质相同,且场板和正面电极通过相同的制备工艺形成。上述二极管结构包括正面电极和场板,且其正面电极的材质和场板的材质为相同材质,这样就可以实现在相同的制备工艺中同步制备出场板和正面电极的图形。本申请中的二极管结构在制备时减少了一次单独制备多晶硅材质的场板的工艺。一方面,这样就无需配置用于制备多晶硅的专用设备,或者减少所需要设备的数量,从而可以降低设备成本;另一方面,工艺的减少也可以降低过程变量,并进一步降低制备成本。

基本信息
专利标题 :
二极管结构及其制备方法、具有二极管结构的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334647A
申请号 :
CN202111665094.0
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李星毅鲁艳春
申请人 :
北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 :
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
代理机构 :
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 :
刘敏
优先权 :
CN202111665094.0
主分类号 :
H01L21/329
IPC分类号 :
H01L21/329  H01L29/861  H01L29/40  H02M7/06  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件,例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件,例如二极管
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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