肖特基二极管及其制备方法、芯片
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种肖特基二极管，包括：衬底；外延层，形成于所述衬底上；肖特基金属层，形成于所述外延层上，其中，所述肖特基金属层中金属成分自与所述外延层界面沿所述肖特基金属层垂直方向连续变化；电极层，包括：形成于所述肖特基金属层上的电极层，以及背电极。本申请的肖特基二极管，具有连续成分变化的肖特基金属层，可避免界面缺陷，二极管稳定性更高。
基本信息
专利标题 ：
肖特基二极管及其制备方法、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335193A
申请号 ：
CN202011071857.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李培刚
申请人 ：
李培刚
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区金沙学府30幢2单元201室
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王月春
优先权 ：
CN202011071857.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/47 H01L21/329
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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