一种垂直氮化镓肖特基二极管及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括衬底，沉积于衬底一侧的阴极接触电极，以及生长于衬底背离阴极接触电极一侧的氮化镓外延层，氮化镓外延层的上表面生长有绝缘层，绝缘层通过蚀刻形成有连通氮化镓外延层的金属层孔；金属层孔中制作有连接于氮化镓外延层的金属薄膜，金属薄膜包覆绝缘层并通过金属层孔与氮化镓外延层形成肖特基接触，构成金属浮动桥(FMB)，其中，氮化镓外延层表面还制备有阳极接触电极，阳极接触电极设置于绝缘层围设的中央区域。本发明制备的垂直氮化镓肖特基二极管的终端结构，将传统的场板结构与浮空金属环结构结合起来，利用简单的工艺实现了比金属环更高的击穿电压，同时避免了场板结构中额外电容的引进。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直氮化镓肖特基二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566550A
申请号 ：
CN202210045987.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新科黄昊黄双武宋利军高麟飞林峰吴钧烨黎晓华贺威
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖厚琪
优先权 ：
CN202210045987.3
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/207 H01L29/40
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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