肖特基二极管及制作方法
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摘要
一种能够承受大于250伏的电压的肖特基二极管及其制作方法。N型导电性的外延层置于N型导电性的半导体衬底上。P型导电性的保护环从外延层表面延伸到其内部。在保护环的一部分和外延层的一部分上形成堆叠结构。堆叠结构包括置于一层介电材料上的一层半绝缘半导体材料。在外延层与堆叠结构的第一侧面相邻的部分上和堆叠结构的第一部分上形成第一金属层。在外延层与堆叠结构的第二侧面相邻的部分上和堆叠结构的第二部分上形成第二金属层。
基本信息
专利标题 ：
肖特基二极管及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841677A
申请号 ：
CN200610059868.4
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈凌辉布兰卡·艾斯特拉·克鲁斯马克·杜斯金约翰·D·莫兰
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200610059868.4
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/872
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2010-10-27 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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