基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有带有场板结构的Ga2O3肖特基二极管反向击穿电压过低的问题。其自上而下包括：欧姆接触金属Au层(1)、欧姆接触金属Ti层(2)、高掺杂n型Ga2O3衬底(3)和低掺杂n型Ga2O3外延层(4)；该低掺杂n型Ga2O3外延层的两侧上方设有顺电介质层(5)，其中间和顺电介质层内侧的上方依次为肖特基金属Ni层(6)和肖特基金属Au(7)。本发明由于在肖特基电极与Ga2O3外延层接触区域加入顺电介质，增大了反向偏压时肖特基结边缘处的耗尽区宽度，削弱了肖特基结的边缘处所承受的集中分布电场强度，提高了击穿电压，可用于制作高压、大功率器件。
基本信息
专利标题 ：
基于顺电介质的肖特基二极管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112038417A
申请号 ：
CN202010964937.6
公开（公告）日 ：
2020-12-04
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN112038417B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
冯倩徐周蕊马红叶胡志国于明扬张雅超胡壮壮封兆青蔡云匆
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202010964937.6
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/06 H01L29/24
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-12-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20200915
申请日 : 20200915
2020-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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