本发明公开了一种沟槽型碳化硅肖特基二极管及其制作方法，该方法包括提供沟槽结构，沟槽结构包括衬底层、外延层、体区层和柱结构、源区层，外延层形成于衬底层的表面，体区层和柱结构形成于外延层的表面，源区层形成于体区层的表面，体区层和柱结构的注入离子类型与源区层的注入离子类型相反；沟槽结构设有一沟槽；在沟槽内生长出栅极氧化层，在栅极氧化层上淀积多晶硅层；在源区层、栅极氧化层、多晶硅层上淀积形成介质层，在所述介质层表面形成源极接触孔和栅极接触孔；在所述介质层表面形成金属层，实现栅极和源极短接；在所述衬底层的下表面上沉积背面金属层，得到低导通压降的碳化硅肖特基二极管，且开关损耗较小。