氮化镓肖特基二极管

授权

摘要

本实用新型提供一种氮化镓肖特基二极管，包括锥形氮化镓层凸起、氮化镓层及缺陷隔离结构，氮化镓层覆盖锥形氮化镓层凸起，锥形氮化镓层凸起的掺杂浓度大于氮化镓层，且锥形氮化镓层凸起与氮化镓层形成有缺陷合拢区，氮化镓层覆盖缺陷隔离结构，缺陷合拢区在垂向上的投影完全位于缺陷隔离结构内，且缺陷隔离结构与锥形氮化镓层凸起交替排布。本实用新型使得缺陷集中化、缺陷钝化，且在垂向上切断载流子的传输路径；进一步的，锥形氮化镓层凸起可将载流子聚集到锥顶进行传输，使得电流导流，且可避开载流子从边缘缺陷合拢区通过，本实用新型可获得高耐压及具有良好防漏电特性的氮化镓肖特基二极管，从而可提高器件性能。

基本信息

专利标题：

氮化镓肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022001367.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-14

授权号：

CN212542440U

授权日：

2021-02-12

发明人：

郝茂盛袁根如张楠

申请人：

上海芯元基半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN202022001367.9

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/20 H01L21/329 H01L29/872