具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构，基于GaN‑on‑Si外延片，GaN‑on‑Si外延片具有GaN沟道层和钝化层，且钝化层位于GaN沟道层的上方，其特征在于，在钝化层的顶部设有高K介质层，在GaN‑on‑Si外延片的顶部一侧设有阳极肖特基金属电极，另一侧设有阴极欧姆金属电极，所述的阳极肖特基金属电极底部延伸至GaN沟道层中，所述的阳极肖特基金属电极向所述的阴极欧姆金属电极所在方向延伸构成金属场板，所述的金属场板与所述的高K介质层和SiN钝化层共同构成混合高K介质场板；本发明不仅具有肖特基势垒二极管的低开启电压和低导通电阻的优势，同时能够提高反向击穿电压，降低反向泄漏电流。
基本信息
专利标题 ：
具有混合高k介质场板的横向氮化镓肖特基二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530492A
申请号 ：
CN202210267330.1
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余丽波邓颖婷郑崇芝
申请人 ：
成都智达和创信息科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市锦江区工业园区墨香路48号4栋1楼1号
代理机构 ：
成都熠邦鼎立专利代理有限公司
代理人 ：
汤楚莹
优先权 ：
CN202210267330.1
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/45 H01L29/47 H01L29/20 H01L29/872
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20220318
申请日 : 20220318
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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