一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种氮化镓肖特基势垒二极管，其为多层结构，从下到上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、i‑GaN外延层(3a)、n‑GaN外延层(3b)，所述n‑GaN外延层(3b)上设有与之构成欧姆接触的欧姆电极(4)和与之构成肖特基势垒接触的肖特基势垒电极(5)，其中所述肖特基势垒电极(5)由下至上依次包括氮化镍层和金层，所述氮化镍层与所述n‑GaN外延层(3b)构成肖特基势垒接触。所述氮化镍层是采用氮离子辅助注入式电子束蒸发镍的方法制成的。本发明解决了传统肖特基势垒二极管的反向泄漏电流较大且稳定性不够好的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335169A
申请号 ：
CN202111413596.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵春林闫怀宝闫发旺
申请人 ：
江西誉鸿锦材料科技有限公司
申请人地址 ：
江西省抚州市抚州高新技术产业开发区科纵四路以东、纬四路以南、科技大道以西、纬五路以北（半导体科技园7号楼）
代理机构 ：
北京市领专知识产权代理有限公司
代理人 ：
任永利
优先权 ：
CN202111413596.4
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/872 H01L21/329 H01L21/285
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/45
申请日 : 20211125
申请日 : 20211125
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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