一种肖特基势垒二极管的钝化结构
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摘要
本实用新型公开了半导体功率器件技术领域内的一种肖特基势垒二极管的钝化结构及其制备方法。本种钝化结构，包括第一金属层、钝化层、第二金属层，第一金属层设置于二极管的势垒层上方并与势垒层接触，钝化层设置于二极管的氧化层上方，钝化层覆盖第一金属层侧面，钝化层还延伸覆盖第一金属层上表面周缘，第二金属层设置于第一金属层上方，第二金属层覆盖第一金属层上表面以及位于第一金属层上方的部分钝化层。本种钝化结构可根据需要灵活调整第一金属层台阶高度，控制金属形貌，防止钝化层形貌异常或开裂等异常；同时能够有效的实现对平面肖特基势垒二极管产品金属与氧化层交界处的保护，增加产品的可靠性和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基势垒二极管的钝化结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020150531.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-03
授权号 ：
CN211088281U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
徐婷董文俊刘芬
申请人 ：
扬州国宇电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市吴州东路188号
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN202020150531.X
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L21/329 H01L29/872
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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