具有垂直势垒的肖特基二极管
授权
摘要
一种具有垂直于半导体芯片的表面延伸的垂直势垒的肖特基二极管，包括一方面与半导体芯片的衬底接触、具有形成肖特基势垒的插入界面，另一方面与放射状延伸的导电指状物接触的垂直的中心金属导体。
基本信息
专利标题 ：
具有垂直势垒的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822398A
申请号 ：
CN200510121579.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弗雷德里克·拉努瓦西尔万·尼佐
申请人 ：
ST微电子公司
申请人地址 ：
法国蒙鲁日
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
康建忠
优先权 ：
CN200510121579.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872
法律状态
2009-05-27 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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