一种浮结型肖特基势垒二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本实用新型提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。
基本信息
专利标题 ：
一种浮结型肖特基势垒二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920806491.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN210723043U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
宋庆文张玉明汤晓燕袁昊吴勇何艳静韩超梁家铖
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN201920806491.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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