一种肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型提供了一种肖特基二极管包括：一N+衬底和位于所述N+衬底之上的N‑外延层；一肖特基金属层单元，所述肖特基金属层单元覆盖于所述N‑外延层表面，所述肖特基金属层单元包括复数层肖特基金属层，且相邻两层的肖特基金属层的金属不同；一位于所述肖特基金属层单元之上的阳极金属；以及，一位于所述N+衬底另一表面的阴极金属；可以相对灵活地调整肖特基势垒，得到理想的正向压降和可接受的反向漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921440143.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210467848U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
宋安英张瑜洁刘刚单体伟陈彤
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王美花
优先权 ：
CN201921440143.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/417 H01L29/47 H01L29/872 H01L21/329 H01L21/04
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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