肖特基二极管及其制造方法
授权
摘要
能够维持击穿电压使其高于大约250伏的肖特基二极管及其制造方法。一个设置在半导体基片上的外延层的厚度至少约为15微米，杂质浓度范围从每立方厘米大约1×1014个原子到每立方厘米大约1×1015个原子。一个护圈向外延层中延伸大约3微米到大约15微米。在外延层上形成介电材料，并且介电材料的一部分被去除，以使护圈的一部分和外延层位于护圈内的一部分曝露出来。在外延层曝露出来部分上形成导电材料，并且形成与半导体基片的底部表面相接触的导电材料。
基本信息
专利标题 ：
肖特基二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841678A
申请号 ：
CN200610059869.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马克·杜斯金布兰卡·克鲁斯
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李勇
优先权 ：
CN200610059869.9
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2010-03-17 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
