碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备
实质审查的生效
摘要
一种碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括外延层和肖特基金属层；外延层上设有依次排列的多个P型区；在外延层上表面沉积有肖特基金属层；P型区为亚微米级；由于P型区为亚微米级，故在较小的元胞尺寸范围内增加肖特基占比，增强了两个PN结夹断电场效应，从而降低了肖特基区的电场强度，增加了电流密度并降低了漏电流，实现了低正向压降和低漏电流的碳化硅肖特基二极管。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464532A
申请号 ：
CN202210383943.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张益鸣刘杰
申请人 ：
深圳芯能半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
李艳丽
优先权 ：
CN202210383943.1
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220413
申请日 : 20220413
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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