碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备
实质审查的生效
摘要
一种碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括外延层和肖特基金属层；外延层上设有依次排列的多个P型区；每两个P型区之间设置有第一凹槽；在外延层上表面和第一凹槽中沉积有肖特基金属层；由于第一凹槽中沉积的所述肖特基金属层与所述外延层形成肖特基结，而第一凹槽使得肖特基结的表面积增大，在较小的PN结间距上，实现更大的肖特基结的占比，故减小了正向压降；同时，所述P型区与外延层形成PN结，两个PN结形成夹断电场，使得肖特基结处的电场减弱，故减小了漏电流；即：在降低正向压降的同时减小漏电流。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464531A
申请号 ：
CN202210383922.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张益鸣刘杰
申请人 ：
深圳芯能半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
李艳丽
优先权 ：
CN202210383922.X
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/329
申请日 : 20220413
申请日 : 20220413
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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