半导体器件结构、肖特基二极管

授权

摘要

本实用新型提供一种半导体器件结构、肖特基二极管，半导体器件结构包括：生长基底，所述生长基底中形成有若干个凹槽结构；第一N型氮化镓层，填充于所述凹槽结构中并延伸至所述凹槽结构周围的所述生长基底上；以及第二N型氮化镓层，形成于所述第一N型氮化镓层上，且所述第二N型氮化镓层的掺杂浓度低于所述第一N型氮化镓层的掺杂浓度。本实用新型在生长基底上进行侧向外延生长形成第一N型氮化镓层，可以提高氮化镓晶体质量，提高表面平整度，减少晶体缺陷，制作垂直结构的肖特基二极管，有利于承受较大的电流及电压，另外，设置阴阳电极上下平行错开，有利于避免两电极直接对冲击穿芯片，提高氮化镓肖特基二极管的耐压特性与降低其漏电流。

基本信息

专利标题：

半导体器件结构、肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020602776.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-21

授权号：

CN212084944U

授权日：

2020-12-04

发明人：

郝茂盛袁根如张楠陈朋马艳红

申请人：

上海芯元基半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

佟婷婷

优先权：

CN202020602776.1

主分类号：

H01L21/329

IPC分类号：

H01L21/329 H01L29/872 H01L29/20 H01L29/40