具有肖特基二极管的半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了具有肖特基二极管的半导体器件。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层与肖特基区接触形成肖特基二极管，与接触区接触形成欧姆接触，与源区接触形成欧姆接触，在与第一面朝向第二面的方向相垂直的第一平面内，肖特基区被阱区和接触区包围。根据本实用新型的半导体器件开关速度快、芯片密度高、成本低。
基本信息
专利标题 ：
具有肖特基二极管的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020208786.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN212113722U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
张永杰陈伟钿周永昌李浩南孙倩
申请人 ：
飞锃半导体（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 ：
王媛
优先权 ：
CN202020208786.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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