一种内置肖特基结构的沟槽式半导体功率器件

授权

摘要

本实用新型提出一种内置肖特基结构的沟槽式半导体功率器件，包括N型半导体基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽内壁及其外围设置栅氧化层，沟槽之间的表面下方形成N+注入层，沟槽内填满导电多晶硅，沟槽上方及其外围上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，N+注入层下方、引线孔与沟槽之间形成相邻的P+注入层和P－注入层。本实用新型的正向压降小，反向恢复损耗低，快关速度高，反向恢复曲线较软，可靠性增加。

基本信息

专利标题：

一种内置肖特基结构的沟槽式半导体功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921935607.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-11

授权号：

CN210607275U

授权日：

2020-05-22

发明人：

丁磊侯宏伟顾挺

申请人：

张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体

代理机构：

南京天华专利代理有限责任公司

代理人：

夏平

优先权：

CN201921935607.3

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L21/329