肖特基结半导体器件
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。
基本信息
专利标题 ：
肖特基结半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058117A
申请号 ：
CN91104304.7
公开（公告）日 ：
1992-01-22
申请日 ：
1991-06-29
授权号 ：
CN1021943C
授权日 ：
1993-08-25
发明人 ：
中村佳夫菊池伸西村茂
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
乔晓东
优先权 ：
CN91104304.7
主分类号 ：
H01L29/46
IPC分类号 ：
H01L29/46 H01L29/56 H01L29/68
法律状态
2008-08-27 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-06-12 ：
其他有关事项
1993-08-25 ：
授权
1992-01-22 ：
公开
1991-12-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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