浅沟槽隔离结构及半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种浅沟槽隔离结构及半导体结构，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，i级沟槽的宽度小于第i‑1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。上述浅沟槽隔离结构中的浅沟槽由上至下具有不同的宽度，可以在不增加有源区上部的宽度的前提下增加有源区下部的宽度，从而增加栅极的沟道宽度，降低源极与漏极之间的电阻，增大源极与漏极之间的电流。
基本信息
专利标题 ：
浅沟槽隔离结构及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922105922.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210575894U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
黄丽
优先权 ：
CN201922105922.X
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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